Disco Duro Slido SAMSUNG MZ75E250B EVO 250GB

Disco Duro Sólido SAMSUNG MZ75E250B EVO 250GB

Unidad de almacenamiento Samsung de 250 GB con tecnología V-NAND de Samsung, hasta 540MB/s de lectura secuencial y 520MB/s de escritura

MZ75E250B

Disponible

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Más información

CARACTERÍSTICAS

Capacidad: 250 GB ( La capacidad real puede ser menor)
Formato: 2,5"
Interfaz: SATA 6 Gb/s, compatible con el interfaz SATA 3 Gb/s & SATA 1,5 Gb/s
Dimensiones: 100 x 69,85 x 6,8 mm
Peso: Max 40 g
Memoria de almacenamiento: Samsung 32 layer 3D V-NAND
Controller: Samsung MGX
Memoria caché: Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM

CARACTERÍSTICAS ESPECIALES
Soporte TRIM: Soportado
Soporte S.M.A.R.T: Soportado
GC (Garbage Collection): Algoritmo Auto Garbage Collection
Encriptación: Encriptación AES 256 bit (Clase 0) , TCG / Opal, IEEE1667
WWN: World Wide Name Soportado
Soporte Modo Suspensión en dispositivo: Sí.

Especificaciones:

Interfaces de disco de estado sólido
Serial ATA III
Peso
40 g
Profundidad
100 mm
Ancho
69,8 mm
Altura
6,8 mm
Velocidad de lectura
540 MB/s
Velocidad de escritura
520 MB/s
Disco de estado sólido, capacidad
250 GB
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
40 - 85 °C
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Voltaje de operación
5 V
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Golpe (fuera de operación)
1500 G
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
5 - 95%
Consumo de energía (inactivo)
2,4 W
Consumo de energía (lectura)
0,1 W
Consumo de energía (escritura)
0,1 W
Velocidad de transferencia de datos
6 Gbit/s
Color del producto
Negro
Unidad, tamaño de búfer
512 MB
Interno
Si
Sistema operativo Windows soportado
Si
Vibración no operativa
20 G
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Soporte TRIM
Si
Escritura aleatoria (4KB)
10000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB)
40000 IOPS
Consumo de energía (espera)
0,045 W
Escritura secuencial
Si
Factor de forma de disco SSD
2.5"
Velocidad de reproducción máxima (4KB)
97000 IOPS
Velocidad de grabación máxima (4KB)
88000 IOPS